超電導体への最適化された着磁方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (4件)：吉武賢次 , 永井浩之 , 岡田淳平 , 勝沼宏仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-250368
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066801
出願日： 2004年08月30日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】短時間で強度の強い捕捉磁場を着磁させることができる超電導体への最適化された着磁方法を提供する。【解決手段】超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、前記パルス磁場の磁場波形は、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、バルク超電導体に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に所定時間保持された着磁段階と、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

超電導転移温度以下に冷却されたバルク超電導体近傍に着磁コイルを保持し、前記着磁コイルが発生するパルス磁場により前記バルク超電導体を着磁させる着磁方法において、前記パルス磁場の磁場波形は、時間に対する磁場強度の増加の比率が小さくなるように制御された増磁段階と、バルク超電導体に磁束線を侵入させることができる高磁場領域に所定時間保持された着磁段階と、時間に対する磁場強度の減少の比率が小さくなるように制御された減磁段階と、を有することを特徴とする超電導体への最適化された着磁方法。

IPC (2件)：

H01F 13/00 , H01F 6/00

FI (2件)：

H01F13/00 , H01F7/22 L

引用特許：

出願人引用 (2件)

超電導体の着磁方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-327899 出願人：アイシン精機株式会社
超電導体の着磁方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-292539 出願人：株式会社イムラ材料開発研究所

審査官引用 (4件)

超電導体の着磁方法及び超電導磁石装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083854 出願人：アイシン精機株式会社
ロングパルス磁場の発生方法とその発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-334759 出願人：科学技術振興事業団
超電導体の着磁方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-327899 出願人：アイシン精機株式会社

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引用文献：

審査官引用 (4件)

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