特許
J-GLOBAL ID：200903015070192848
力検知素子、その製造方法及び力検知素子製造用ウエハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-361821
公開番号（公開出願番号）：特開2004-191279
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】力検知素子の品質や信頼性を向上できる技術を実現する。【解決手段】第1ブロック120の電極台座部136c上の電極132cに、電源150の陽極に接続された針144を接触させる。また、第1ブロック120の半導体基板122の底面に取付けた電極142に、電源150の陽極に接続された針140を接触させる。また、第2ブロック138の頂面に取付けた電極146に、電源150の陰極に接続された針148を接触させる。次いで、電源150によって、電圧を印加する。これによると、半導体基板122と半導体ゲージ部126の間の絶縁層124の存在によって、接合電圧や接合電流が低下することを抑制できる。また、半導体基板122と半導体ゲージ部126の間の絶縁層124に大きな電圧が加わることを回避できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板、絶縁層、半導体ゲージ部の積層体を有する第1ブロックの半導体基板と半導体ゲージ部の両方に電圧を印加することで、半導体基板と半導体ゲージ部を、第1ブロックとの接合対象である第2ブロックよりも高電位にして、第1ブロックと第2ブロックを陽極接合する工程を有する力検知素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA41
, 4M112CA44
, 4M112CA46
, 4M112CA48
, 4M112CA54
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA09
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112FA20
