特許

J-GLOBAL ID：200903015124853233

半導体装置

発明者： 井上 晋 ,  武田 庸 ,  丸尾 豊
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369588
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179591
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】 特に、横方向および斜め上方向からの光の進入を低減でき、特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層に設けられた半導体素子と、 前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁50と、 前記半導体素子に電気的に接続された配線層26であって、前記遮光壁50の設けられていない開孔52から該遮光壁50の外側に延伸された配線層26と、を含み、 前記配線層26は、前記開孔52に位置している第1部分26Aと、該開孔52の外側に位置し、該配線層26の延伸方向と交差する分岐部28を有することで該開孔52の幅と同一以上の幅を有する第2部分26Bと、を含むパターンを有し、 前記分岐部28において、前記遮光壁50の外側を向いた面は、その表面に凸部を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層に設けられた半導体素子と、 前記半導体素子の周囲に設けられた遮光壁と、 前記半導体素子に電気的に接続された配線層であって、前記遮光壁の設けられていない開孔から該遮光壁の外側に延伸された配線層と、を含み、 前記配線層は、前記開孔に位置している第1部分と、該開孔の外側に位置し、該配線層の延伸方向と交差する分岐部を有することで該開孔の幅と同一以上の幅を有する第2部分と、を含むパターンを有し、 前記分岐部において、前記遮光壁の外側を向いた面は、その表面に凸部を有する、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (4件)：

H01L21/88 A ,  H01L21/88 S ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (16件)：

5F033MM21 ,  5F033MM23 ,  5F033NN33 ,  5F033UU01 ,  5F033VV16 ,  5F033XX32 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083GA13 ,  5F083ZA28 ,  5F101BA02 ,  5F101BA12 ,  5F101BB06 ,  5F101BD02 ,  5F101BD43

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-321371   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-308388
  
• 特開昭63-310180
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090389   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社