光デバイス及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口朔生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-570348
公開番号（公開出願番号）：特表2006-506827
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、p型電極とn型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、GaN系層と、前記GaN系層の上に形成された高濃度GaN系層と、前記高濃度GaN系層の上に形成された第1金属-Ga化合物層と、前記第1金属-Ga化合物層の上に形成された第1金属層と、前記第1金属層の上に形成された第3金属-Al化合物層及び前記第3金属-Al化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaN系層と、前記GaN系層の上に形成した高濃度GaN系層と、前記高濃度GaN系層の上に形成した第1金属-Ga化合物層と、前記第1金属-Ga化合物層の上に形成した第1金属層と、前記第1金属層の上に形成した第3金属-Al化合物層と、前記第3金属-Al化合物層の上に形成した伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする光デバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (32件)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD43 , 4M104DD79 , 4M104DD94 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104GG05 , 4M104GG06 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA40 , 5F041CA84 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA91 , 5F041CA92 , 5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-330508 出願人：日亜化学工業株式会社
特許第226831号
特許第226831号

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