特許
J-GLOBAL ID：200903030429433373
窒化物半導体素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-330508
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148508
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】従来の窒化物半導体を用いた素子では、困難であった高機能でありながらアニーリングの制御性に優れ、素子ばらつきの少ないn型電極を有する窒化物半導体素子及びその製造を提供する。【解決手段】n型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Wを有する第1の層、該第1の層の上にAlを有する第2の層、該第2の層の上にPtを有する第3の層、該第3の層の上にAu若しくはPtを有する第4の層であると共に、該第4の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする。このことにより、薄膜の多層膜からなるn型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるn型電極を有する窒化物半導体素子となる。
請求項（抜粋）：
n型導電性を有する窒化物半導体上に、電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極が、Wを有する第1の層、該第1の層の上にAlを有する第2の層、該第2の層の上にPtを有する第3の層、該第3の層の上にAu若しくはPtを有する第4の層であると共に、該第4の層でもって前記電極が電気的に接続されることを特徴とする窒化物半導体素子。
Fターム (9件)：
5F041AA21
, 5F041AA25
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA98
