特許
J-GLOBAL ID:200903015132644953

レジストパターン、その製造法およびその利用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-352042
公開番号(公開出願番号):特開2004-118211
出願日: 2003年10月10日
公開日(公表日): 2004年04月15日
要約:
【課題】 導体抵抗を低く抑えた微細配線が可能であって、半導体パッケージ基板回路の高密度化に有用なレジストパターンを提供する。【解決手段】 膜厚が1〜100μmであり、アスペクト比(レジストパターンの膜厚に対する線幅の比)が3.5以上であるレジストパターンとする。このレジストパターンは、たとえば、(A)バインダーポリマー、(B1)分子内に3個のエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤および(D)一般式(I):(式中、mは2〜6の整数である)で表される化合物または一般式(II):で表される化合物のうちのいずれか一方または双方を含有する感光性樹脂組成物を用いて製造することができる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
膜厚が1〜100μmであり、アスペクト比(レジストパターンの膜厚に対する線幅の比)が3.5以上であるレジストパターン。
IPC (2件):
G03F7/004 ,  G03F7/26
FI (4件):
G03F7/004 512 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 507 ,  G03F7/26 501
Fターム (20件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AA19 ,  2H025AB11 ,  2H025AB15 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC42 ,  2H025CA03 ,  2H025CA28 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CC15 ,  2H025FA17 ,  2H096AA26 ,  2H096BA05 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 独国特許第2027467号明細書
  • 欧州特許出願公開第11786号明細書
  • 欧州特許出願公開第220号明細書
全件表示

前のページに戻る