特許

J-GLOBAL ID：200903015140862943

PZT系強誘電体薄膜およびその形成方法ならびに同薄膜を用いた機能素子

発明者： 飯島 高志 ,  工藤 節子 ,  真田 徳雄 ,  阿部 利彦
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院東北工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038055
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220185
出願日： 1998年02月03日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 ゾル・ゲル法による薄膜形成時に、有機物熱分解の温度を制御することにより、基板の表面に(100)面が膜厚方向に対して配向した結晶方位をもつPZT系強誘電体薄膜を形成し、微小変位制御用のアクチュエータなどに利用できる圧電効果をもつをPZT系強誘電体薄膜得る。【解決手段】 (111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層を形成した基板に(100)面が膜厚方向に配向するPZT系強誘電体薄膜を形成する。特に、該PZT系強誘電体薄膜は有機金属化合物前駆体をコーティング後、昇温速度30〜500°C/s、加熱温度350〜500°C、保持時間1〜5分の条件で前記有機金属化合物前駆体を熱分解して形成する。

請求項（抜粋）：

(111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層を形成した基板に(100)面が膜厚方向に配向するPZT系薄膜を形成したことを特徴とするPZT系強誘電体薄膜。

IPC (6件)：

H01L 41/09 ,  C23C 18/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/26

FI (6件)：

H01L 41/08 C ,  C23C 18/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/22 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• PZTゾル溶液の製造方法およびこの溶液を用いた強 誘電性薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345574   出願人：横河電機株式会社