特許

J-GLOBAL ID：200903015168542227

導電性セラミツクスの加工方法

発明者： 佐伯 秀樹 ,  齋藤 長男 ,  毛利 尚武 ,  長谷川 満雅
出願人/特許権者： 東芝セラミツクス株式会社 ,  斎藤 長男
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268855
公開番号（公開出願番号）：特開平5-077114
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【目的】 複雑な形状に放電加工された導電性セラミックスの耐破壊強度を放電加工前の強度に回復する。【構成】 導電性セラミックスを加工液体中における間欠放電で放電加工する一次工程と、この一次工程を施した導電性セラミックスを所要温度の腐食液に浸し又は電気分解によって溶解し得る電解液中にて電解溶出を行い、上記一次工程で生じた加工面を所要の深さまで腐食又は電解溶出させる二次工程とを有することにより、放電加工に伴って生じた数十μm以下の微細なクラックを有する加工変質層を腐食又は電解溶出によって除去する。

請求項（抜粋）：

導電性セラミックスを加工液体中における間欠放電で放電加工する一次工程と、この一次工程を施した導電性セラミックスを所要温度の腐食液に浸し又は電気分解によって溶解し得る電解液中にて電解溶出を行い、上記一次工程で生じた加工面を所要の深さまで腐食又は電解溶出させる二次工程とを有することを特徴とする導電性セラミックスの加工方法。

IPC (4件)：

B23H 9/00 ,  B23H 1/00 ,  C04B 41/91 ,  C25F 3/02