半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-237385
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087332
出願日： 1997年09月02日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 SOGを用いたビア開口工程でレジストをO2 アッシングした時のダメージでSOGむき出し部がSi-OH結合を生じるのを低減させる。【解決手段】 SOGむき出し部がO2 プラズマにさらされた後にH2 プラズマをさらすことにより、Si-OH結合部をSi-H結合部106に変える。

請求項（抜粋）：

半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、前記配線間及びその上部がSOGに直接または無機絶縁膜を介して覆われ、配線のスルーホール部に接するSOGがSi-OH結合を持たないようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/312 N , H01L 21/316 P , H01L 21/88 K , H01L 21/88 B , H01L 21/90 A , H01L 21/90 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

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