隔離領域の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-248246
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144782
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】高集積化させても、素子を確実に分離することができ、かつ工程が容易な素子分離方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に広い幅と狭い幅とを有し、それらの間の間隔を異なるようにして絶縁膜パターンを形成し、その絶縁膜パターンを用いて半導体基板に異なる幅のトレンチを形成し、トレンチ及び絶縁膜パターンの上に他の絶縁膜を形成してその絶縁膜をエッチバックして絶縁膜パターンの一部を露出させ、絶縁膜パターンとその上に残った前記他の絶縁膜をウェットエチッングでエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に広い幅と狭い幅とを有し、それらの間の間隔を異なるようにして絶縁膜パターンを形成する段階と、前記絶縁膜パターンを用いて前記半導体基板に異なる幅のトレンチを形成する段階と、前記トレンチ及び絶縁膜パターンの上に他の絶縁膜を形成する段階と、前記他の絶縁膜をエッチバックして前記絶縁膜パターンの一部を露出させる段階と、前記絶縁膜パターンとその上に残った前記他の絶縁膜をウェットエチッングでエッチングする段階とを有することを特徴とする半導体素子の隔離領域形成方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-119395 出願人：ソニー株式会社
絶縁膜の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-024173 出願人：富士電機株式会社
特開平2-039551

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