特許

J-GLOBAL ID：200903015216081865

ベンゼンガス選択吸着性多孔質シリカ材料及びその製造方法

発明者： 上野 祐子 ,  堀内 勉 ,  丹羽 修 ,  周 豪慎 ,  本間 格
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-052736
公開番号（公開出願番号）：特開2004-261672
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】ベンゼンガスの選択性向上を実現するため、環境レベルの低濃度ベンゼンガス選択吸着機能を有する多孔質シリカ材料を提供する。【解決手段】細孔径が1〜50nmの孔径が均一な細孔(メソ孔)およびメソ孔の壁面に細孔径が0.2〜0.8nmの細孔(マイクロ孔)を有し、前記メソ孔の表面積に対するマイクロ孔の表面積の比は、メソ孔の表面積1に対し、0.3以上であることを特徴とするベンゼンガス選択吸着性多孔質シリカ材料とブロック共重合体を含む溶液を30〜60°Cの温度に加熱し、シリカ前駆体を添加して沈殿を形成させ、前記沈殿を乾燥した後、400〜500°Cの温度で焼結する、その製造方法である。【効果】ベンゼンガスにおける濃縮採取の効率、ガス選択性、加熱脱着による回収効率の向上を実現する。

請求項（抜粋）：

細孔径が1〜50nmの孔径が均一な細孔(以下、メソ孔という)およびメソ孔の壁面に細孔径が0.2〜0.8nmの細孔(以下、マイクロ孔という)を有するベンゼンガス選択吸着性多孔質シリカ材料であって、前記メソ孔の表面積に対するマイクロ孔の表面積の比は、メソ孔の表面積1に対し、0.3以上であることを特徴とするベンゼンガス選択吸着性多孔質シリカ材料。

IPC (4件)：

B01J20/10 ,  B01J20/34 ,  C01B37/00 ,  G01N33/00

FI (4件)：

B01J20/10 A ,  B01J20/34 H ,  C01B37/00 ,  G01N33/00 C

Fターム (22件)：

4G066AA22B ,  4G066AB18A ,  4G066AC21D ,  4G066BA23 ,  4G066CA51 ,  4G066DA01 ,  4G066FA34 ,  4G066FA40 ,  4G066GA01 ,  4G073BA63 ,  4G073BB58 ,  4G073BB71 ,  4G073BD03 ,  4G073BD12 ,  4G073CA01 ,  4G073FA11 ,  4G073FA18 ,  4G073FB01 ,  4G073FC07 ,  4G073FC18 ,  4G073FD01 ,  4G073UA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 球状シリカ多孔質粒子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-349024   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 水澤化学工業株式会社
• ガス吸着分離用多孔体及びそれを用いたガス吸着分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101435   出願人：株式会社豊田中央研究所