特許
J-GLOBAL ID：200903015236544659

ポリカーボネート基板及びその表面処理方法

発明者：
小林 正人

小林 正人 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152937
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345322
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 ポリカーボネート基板上にDLC薄膜を密着性よく形成する。【解決手段】 基板本体2とDLC薄膜3との間に、イオン注入技術によってカーボンイオンが注入されてなるカーボン注入層4を設ける。カーボン注入層4が形成されていることによって、DLC薄膜3の密着性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
基板本体の表面にDLC(Diamond Like Carbon)薄膜が形成されたポリカーボネート基板であって、上記基板本体と上記DLC薄膜との間には、イオン注入技術によってカーボンイオンが注入されてなるカーボン注入層が形成されていることを特徴とするポリカーボネート基板。
IPC (7件)：
C23C 14/22 ,  C08J 7/00 302 ,  C08J 7/06 ,  G11B 7/24 531 ,  G11B 7/24 533 ,  G11B 7/26 ,  H01J 37/317
FI (7件)：
C23C 14/22 A ,  C08J 7/00 302 ,  C08J 7/06 Z ,  G11B 7/24 531 C ,  G11B 7/24 533 H ,  G11B 7/26 ,  H01J 37/317 C
Fターム (32件)：
4F006AA36 ,  4F006AB72 ,  4F006BA01 ,  4F006BA06 ,  4F006DA01 ,  4F073AA01 ,  4F073AA07 ,  4F073BA26 ,  4F073BB01 ,  4F073CA01 ,  4F073CA51 ,  4F073CA72 ,  4F073GA09 ,  4F073HA12 ,  4K029AA11 ,  4K029BA34 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA09 ,  4K029CA13 ,  4K029DE01 ,  4K029FA07 ,  5C034CD01 ,  5C034CD07 ,  5D029KA07 ,  5D029KB11 ,  5D029LA12 ,  5D029LB02 ,  5D121AA04 ,  5D121EE04 ,  5D121EE13 ,  5D121EE27
引用特許：
審査官引用 (4件)
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