特許
J-GLOBAL ID：200903015255009284
量子ドットを用いた半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256712
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085665
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【目的】本発明は、温度変化に対して発光周波数の温度変化を小さく抑えるとともに、高温においても高い発光効率を有する高品質の量子ドットを用いた半導体素子を提供することを目的とする。【構成】本発明では、第1の格子定数を有する半導体基板表面に、第2の格子定数を有する半導体からなる量子ドットを形成し、次いで前記量子ドットの表面に第3の格子定数を有する半導体緩衝層を形成し、次いで前記半導体緩衝層の表面に第4の格子定数を有する半導体歪緩和層を形成した構造とし、各格子定数の関係を、前記第1の格子定数と前記第2の格子定数が異なる値であり、かつ前記第3の格子定数が前記第1の格子定数と同じか、又は前記第4の格子定数の中間の値であり、更に前記第4の格子定数が前記第1の格子定数と前記第2の格子定数の中間の値であるように構成する。
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の格子定数を有する半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された、前記第1の格子定数とは異なる第2の格子定数を有する半導体からなる複数の量子ドットと、前記複数の量子ドットの表面を覆うように形成された、第3の格子定数を有する半導体緩衝層と、前記半導体緩衝層の表面に形成された、第4の格子定数を有する半導体歪緩和層とを有する量子ドットを用いた半導体素子であって、前記第3の格子定数が前記第1の格子定数と同じか、又は前記第1の格子定数と前記第4の格子定数の中間の値であり、前記第4の格子定数が前記第1の格子定数と前記第2の格子定数の中間の値であることを特徴とする量子ドットを用いた半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5F073AA51
, 5F073AA75
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA29
審査官引用 (1件)
-
半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-238756
出願人：株式会社東芝
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