薄膜回路基板及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西澤均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308949
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118168
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】基板表面に設けられた有機絶縁膜と、その上に配設される金属配線(電極材料)との密着性に優れた薄膜回路基板、その製造方法、及び薄膜回路基板を用いた高性能の高周波用モジュールを提供する【解決手段】基板1上に形成された有機絶縁膜2の表面に、表面改質係数が0.1〜0.5の表面改質層を設け、この表面改質層を備えた有機絶縁膜2の表面に金属配線5(4)を施すことにより、金属配線5(4)の密着強度を向上させる。ただし、表面改質係数とは、有機絶縁膜表面に存在するCのうち、官能基を形成しているCの割合であり、下記の式(1)で表される値である。表面改質係数=官能基の総数/有機絶縁膜表面に存在するCの総数......(1)

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の表面に配設された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成された薄膜金属からなる金属配線とを具備する薄膜配線基板であって、前記有機絶縁膜の表面に、下記の式(1)で表される表面改質係数が0.1〜0.5の表面改質層を備えていることを特徴とする薄膜回路基板。表面改質係数=官能基の総数/有機絶縁膜表面に存在するCの総数......(1)

IPC (5件)：

H01L 21/768 , B32B 7/02 104 , B32B 15/08 , H01L 21/312 , H05K 3/38

FI (5件)：

B32B 7/02 104 , B32B 15/08 J , H01L 21/312 A , H05K 3/38 Z , H01L 21/90 S

Fターム (68件)：

4F100AB01C , 4F100AB10C , 4F100AB11 , 4F100AB12C , 4F100AB13C , 4F100AB16C , 4F100AB17C , 4F100AB24C , 4F100AB25C , 4F100AB31C , 4F100AB33C , 4F100AK01B , 4F100AK02B , 4F100AK25B , 4F100AK49B , 4F100AK53B , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100EH662 , 4F100EJ541 , 4F100EJ611 , 4F100GB43 , 4F100JG03B , 4F100JK06 , 4F100JM02B , 4F100JM02C , 5E343AA02 , 5E343AA11 , 5E343AA38 , 5E343BB22 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB28 , 5E343BB35 , 5E343BB38 , 5E343BB44 , 5E343BB52 , 5E343BB71 , 5E343EE32 , 5E343EE36 , 5E343GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033PP19 , 5F033QQ42 , 5F033QQ91 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033XX14 , 5F058AA08 , 5F058AC10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG06 , 5F058AG07 , 5F058AH01

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-028365
銅・ポリイミド積層構造体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-066232 出願人：日立電線株式会社
特開平3-257840

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