特許

J-GLOBAL ID：200903015278104365

半導体装置及びその製造方法

発明者： 佐藤 正和 ,  伊藤 達也
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-074900
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261297
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 誘導素子の磁束が半導体基板上のデバイス等に影響を与えることなく、誘導素子を自由に配置することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板2上に誘導素子3が形成された半導体装置1において、接地電極5を介して半導体基板2に接地されたシールド部15を、絶縁樹脂層10,12を挟んで誘導素子3と厚み方向において重なる位置に配置する。これにより、シールド部15が誘導素子3の磁束を遮断し、この誘導素子3の磁束が半導体基板2上のデバイス等に影響を与えるのを防ぐことができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

電極部が設けられた基材と、 前記基材上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記電極部に接続された配線部と、 前記配線部上に絶縁樹脂層を介して設けられ、該絶縁樹脂層に形成された孔部を通して前記配線部に接続された誘導素子とを備え、 前記基材と前記配線部との間に位置し、且つ、少なくとも前記誘導素子と厚み方向において重なる領域にシールド部が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320

FI (2件)：

H01L27/04 L ,  H01L21/88 S

Fターム (28件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS21 ,  5F033VV03 ,  5F033VV08 ,  5F033WW01 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH11 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポストパッシベーション法を使用した高性能システムオンチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267522   出願人：メジック・コーポレーション