ポストパッシベーション法を使用した高性能システムオンチップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-267522
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086690
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ポストパッシベーション法を使用した高性能システムオンチップを提供する。【解決手段】本発明は、高品質の電気素子(例えばインダクター、コンデンサ、または抵抗器)をパッシベーション層18の上にまたは厚いポリマー層20の表面上にさらに作製することによって、本一部継続出願の特許請求の範囲を拡大している。本発明の方法はさらに、ディスクリートの電子素子を、下側のシリコン基板10表面から相当程度離した状態で実装するための方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面をオーバーレイする高性能集積回路用のインダクターを形成する方法であって、(a)表面中または表面上に半導体装置が作製されている半導体基板であって、該半導体基板の能動表面中または能動表面上の前記半導体装置に設けられる電気接点を有する半導体基板を用意する工程と;(b)相互接続物の1つ以上の層を含んだオーバーレイする相互接続用金属化構造物を前記半導体基板の能動表面上に作製し、前記相互接続物の層が、電気接点が前記オーバーレイする相互接続用金属化構造物の表面中または表面上に設けられている状態にて、導電相互接続線または導電接点または導電バイアを1つ以上の層において含み、前記電気接点の少なくとも1つが、前記オーバーレイする相互接続用金属化構造物の前記1つ以上の層に設けられる前記導電相互接続線または前記導電接点または前記導電バイアの少なくとも1つと接触し、前記金属線または前記接点または前記導電バイアの少なくとも1つが、前記基板の表面中または表面上の前記半導体装置に設けられる前記電気接点の少なくとも1つと接触する工程と;(c)前記オーバーレイする相互接続用金属化構造物上にパッシベーション層を付着させる工程と;(d)前記パッシベーション層より実質的に厚くて、しかも前記相互接続用金属化構造物を作製するのに使用される誘電体中間層より実質的に厚い絶縁・分離用ポリマー層を前記前記パッシベーション層上に付着させる工程と;(e)前記絶縁・分離用ポリマー層を貫いて、および前記パッシベーション層を貫いて開口を形成させて、前記オーバーレイする相互接続用金属化構造物の表面中または表面上に設けられている前記電気接点の少なくとも1対を露出させる工程と;(f)前記開口に導電性物質を充填して、前記開口を通る金属接点を作製する工程と;(g)前記絶縁・分離用ポリマー層の表面上に前記インダクターを形成させ、前記インダクターが、前記オーバーレイする相互接続用金属化構造物の表面中または表面上に設けられている前記電気接点の少なくとも1対に接続されている工程と;を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/822 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/04

FI (6件)：

H01L 27/04 L , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P , H01L 21/88 T , H01L 21/90 S , H01L 21/90 A

Fターム (47件)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH35 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK00 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033VV08 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX10 , 5F033XX24 , 5F038AC01 , 5F038AC15 , 5F038AC19 , 5F038AR06 , 5F038AZ05 , 5F038BE07 , 5F038CD20 , 5F038DF01 , 5F038DF03 , 5F038DF12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (12件)

バンプを備える基材同士の接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-164419 出願人：株式会社東海理化電機製作所
特開平2-062069
フィルタ及び、又は共振子のための構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-063812 出願人：プレッシーセミコンダクターズリミテッド

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