特許

J-GLOBAL ID：200903015283719688

半導体の結晶成長方法

発明者： 永井 誠二 ,  冨田 一義 ,  色川 芳宏 ,  加地 徹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036568
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241191
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】 クラックが無く転位の密度が低い高品質の半導体結晶を得る。【解決手段】 Si(111)基板(下地基板)10に、略常温で水素イオン(H+ )を1×1016/cm2 のドーズ量で、加速電圧10keVのエネルギーで注入する。これにより、イオン注入面からh≒100nm前後の深さの一帯に、イオン濃度が局所的に高いイオン注入層が形成される。上記のSi基板10のイオン注入面上に、AlGaNより成るバッファ層20を約300nm成長し、更にその上に、目的の半導体結晶である窒化ガリウム(GaN)層30を約200μm成長する。この結晶成長過程において、上記のSi基板10は、イオン注入層を境に徐々に破断し、最終的には膜厚約100nmの薄膜部11とSi基板10の主要部とに分離される。以上の半導体結晶の製造方法により、従来よりも結晶性に優れた、クラックのない窒化ガリウムの単結晶を得ることができる。

請求項（抜粋）：

下地基板上に前記下地基板とは相異なる半導体物質を結晶成長させる、半導体の結晶成長方法であって、前記結晶成長を開始する前に、前記下地基板の結晶成長面よりイオンを注入することを特徴とする半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE08 ,  4G077TK08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361002   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク

審査官引用 (1件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-361002   出願人：アジレント・テクノロジーズ・インク