特許
J-GLOBAL ID：200903015296151761
半導体ウエハの加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-009000
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199453
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハ表面およびチップ表面への汚染が少ない半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルムを剥離し、更に該ウエハをダイシングする半導体ウエハの加工方法であって、該粘着フィルムが、基材フィルムの片表面に(a)架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー、(b)粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤、及び、(c)アニオン性界面活性剤を前記(a)と(b)の和100重量部に対して0.05〜5重量部を含む粘着剤層を有し、且つ、該ウエハ表面に水をかけながらダイシングすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルムを剥離し、更に該ウエハをダイシングする半導体ウエハの加工方法であって、該粘着フィルムが、基材フィルムの片表面に(a)架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー、(b)粘着剤ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を1分子中に2つ以上有する架橋剤、及び、(c)アニオン性界面活性剤を前記(a)と(b)の和100重量部に対して0.05〜5重量部を含む粘着剤層を有し、且つ、該ウエハ表面に水をかけながらダイシングすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 7/22
, C09J 7/02 JLF
, H01L 21/301
H01L 21/304 321 H
, H01L 21/304 321 B
, B24B 7/22 Z
, C09J 7/02 JLF
, H01L 21/78 M
