膜厚計測方法及びその装置、研磨レート算出方法並びにCMP加工方法及びその装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-398609
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159203
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 CMP加工前、試料表面に凹凸があり、凹凸の大きさが配線パターンの密度、成膜条件によって異なり、研磨レートが変動する試料に対し、ウェハでの条件出しすることなく、高精度に研磨レートを得る。【解決手段】本発明は、表面に凹凸があり、かつ、表面が光学的に透明な膜が形成された試料に対して白色光を照射し、該白色光の照射によって前記試料表面からの反射光を検出し、該検出した前記反射光の0次光の検出分光波形を取得する検出分光波形取得ステップと、表面の凹凸の大きさ、面積率及び膜厚からなるパラメータを変えて、表面の凹凸を高さの異なる複数の段差部の合成で構成した試料の光学モデルを基にモデル分光波形を算出するモデル分光波形算出ステップと、該モデル分光波形算出ステップで前記パラメータを変えて算出されたモデル分光波形と前記検出分光波形取得ステップで取得された検出分光波形とをフィッティング処理させて最も一致したパラメータに基づいて前記試料の表面の凹凸の大きさ、面積率及び膜厚を求めるフィッティング処理ステップとを有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に凹凸があり、かつ、表面が光学的に透明な膜が形成された試料に対して白色光を照射し、該白色光の照射によって前記試料表面からの反射光を検出し、該検出した前記反射光の0次光の検出分光波形を取得する検出分光波形取得ステップと、表面の凹凸の大きさ、面積率及び膜厚からなるパラメータを変えて、表面の凹凸を高さの異なる複数の段差部の合成で構成した試料の光学モデルを基にモデル分光波形を算出するモデル分光波形算出ステップと、該モデル分光波形算出ステップで前記パラメータを変えて算出されたモデル分光波形と前記検出分光波形取得ステップで取得された検出分光波形とをフィッティング処理させて最も一致したパラメータに基づいて前記試料の表面の凹凸の大きさ、面積率及び膜厚を求めるフィッティング処理ステップとを有することを特徴とする膜厚計測方法。

IPC (6件)：

H01L21/66 , B24B37/04 , B24B49/12 , G01B11/02 , G01B11/30 , H01L21/304

FI (7件)：

H01L21/66 P , H01L21/66 Z , B24B37/04 D , B24B49/12 , G01B11/02 Z , G01B11/30 Z , H01L21/304 622S

Fターム (31件)：

2F065AA30 , 2F065AA49 , 2F065BB03 , 2F065CC17 , 2F065CC31 , 2F065FF41 , 2F065FF51 , 2F065GG01 , 2F065GG24 , 2F065HH13 , 2F065LL04 , 2F065LL67 , 2F065QQ17 , 2F065RR03 , 2F065UU05 , 3C034AA19 , 3C034CA04 , 3C034CB01 , 3C034DD10 , 3C058AA07 , 3C058AC02 , 3C058BB01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DB02 , 4M106DH57 , 4M106DJ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

段差測定方法、スタンパ製造方法、スタンパ、光ディスク製造方法、光ディスク、半導体デバイス製造方法、半導体デバイス、および段差測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-347552 出願人：株式会社ニコン

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