特許
J-GLOBAL ID：200903015300387422
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263427
公開番号（公開出願番号）：特開平11-103018
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】半導体装置にEMC対策を行うには、半導体装置内部で電磁放射ノイズ発生源となる箇所を特定し、その箇所に電磁放射ノイズ対策を施す必要がある。そのためには電磁放射ノイズの測定方法を確立し、電磁放射ノイズの発生源を特定しなければならない。【解決手段】LSIチップ1内部に、LSI内の他の回路から孤立した配線からなるアンテナ部12とこのアンテナ部12のみが接続された外部接続用電極13を作り込んでおくことで、LSIより発生する電磁放射ノイズの測定を容易に行うことができる。また、アンテナ部12をLSI内に複数個配置しておくことにより、容易に電磁放射ノイズ発生源を知ることができる。
請求項（抜粋）：
チップ上に複数の外部接続用電極を備えた半導体装置において、孤立した前記外部接続用電極と、この孤立した前記外部接続用電極に接続されかつ内部素子から孤立した任意の形状の配線を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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