特許

J-GLOBAL ID：200903015316771710

半導体装置の絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成材料

発明者： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子 ,  山口 城
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144672
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の多層配線の低誘電率絶縁膜形成方法及び材料を提供する。【解決手段】 処理基板上にフルオロカーボン側鎖を有するポリカルボシラン樹脂の被膜を形成し、この被膜を熱処理して絶縁膜とする。ポリカルボシラン樹脂は次の一般式【化1】(この式のR1 は炭素原子数1〜5のフルオロカーボン基であり、R2 は水素又は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、R3 は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、R4 は水素又は炭素原子数1〜3のアルキル基であり、n≧10、m≧0であって、且つn+m=10〜1000である)を有する。

請求項（抜粋）：

多層配線を有する半導体装置の絶縁膜形成方法であって、処理基板上にフルオロカーボン側鎖を有するポリカルボシラン樹脂の被膜を形成し、この被膜を熱処理して絶縁膜とすることを特徴とする半導体装置の絶縁膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C08G 77/48 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  C08G 77/48 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-204832   出願人：富士通株式会社