特許

J-GLOBAL ID：200903015349502308

シリコン酸化物の改質方法

発明者： 鮫島 俊之
出願人/特許権者： 東京農工大学長
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097438
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【目的】 低温且つ簡単な熱処理工程でシリコン酸化物及びその界面の性質を向上させる。【構成】 水蒸気或いは水を含む雰囲気中において、雰囲気の圧力が2気圧以上200気圧の条件下において、処理温度が150°C以上600°C以下で加熱処理を行うことにより、シリコン酸化物及びその界面の性質を改善する。このとき好適な雰囲気中の水の分子の数密度は2×1019個/cm3 以上3.4×1022個/cm3 以下である。MOS型トランジスタ、太陽電池等電子デバイス作製或いはシリコン酸化物基体改質に適用できる。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化物を、2ないし200気圧の圧力の、水蒸気または水を含む雰囲気中において、加熱処理する工程を具備することを特徴とするシリコン酸化膜の改質方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 F ,  H01L 31/04 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の絶縁膜の平坦化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-083395   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭59-168653