特許
J-GLOBAL ID:200903015396107085

炭酸ジエステルの精製法及びその精製法によって得られた炭酸ジエステルを用いて製造したポリカーボネート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 馨 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-169124
公開番号(公開出願番号):特開平7-025830
出願日: 1993年07月08日
公開日(公表日): 1995年01月27日
要約:
【要約】 (修正有)【構成】 (a)炭酸ジエステルをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理することを特徴とする炭酸ジエステルの精製法及び(b)その精製法によって得られる加水分解可能な塩素含有量が5ppm 以下、スズイオン含有量が5ppm 以下、ナトリウムイオン含有量が5ppm 以下、鉄イオン含有量が1ppm 以下、水分が100ppm以下であることを特徴とする炭酸ジエステルを用いて塩基性エステル交換触媒存在下、2価フェノールと溶融重縮合させて得られるポリカーボネート。【効果】 色相(YI)が優れたポリカーボネートが得られる。
請求項(抜粋):
炭酸ジエステルをアルミノシリケートの存在下で加熱減圧処理することを特徴とする炭酸ジエステルの精製法。
IPC (4件):
C07C 69/96 ,  C07C 68/08 ,  C08G 64/04 ,  C08G 64/30
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 半導体洗浄用炭酸ジエチルの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-358020   出願人:株式会社サンシ-ル
  • 特開昭61-210057
  • 特開昭55-059144
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