特許
J-GLOBAL ID:200903015418752320

混成集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-053413
公開番号(公開出願番号):特開平7-263618
出願日: 1994年03月24日
公開日(公表日): 1995年10月13日
要約:
【要約】【目的】 縦型構造の電力系半導体素子を含む混成集積回路装置において、放熱性、電力能力を良好にするとともに、ケース内に収納した時の構造を簡素化するようにする。【構成】 基板1上にパワーMOS等の縦型の電力系半導体素子3を含む回路素子を形成し、電力系半導体素子3の一方の電極を基板1にはんだバンプ6aを介して基板上の配線パターン8bに電気接続するとともに、他方の電極を導電性接着剤5aを介しケース2に電気接続する。ここで、ケース2は導電性のもので構成されており、ケース2は導電性接着剤5bを介し基板1上に形成された配線パターン8aに電気接続される。従って、上記構成により、ケース2を電力系半導体素子3の放熱板として機能させるとともに電極の一部としても機能させることができ、装置全体の小型化を図ることができる。
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に設置された電力系半導体素子を含む回路素子が形成された回路部と、前記基板を保持する導電性のケースとを備えた混成集積回路装置において、前記電力系半導体素子は、両面に電極が形成された縦構造の電力系半導体素子であって、その一方の電極が前記基板に電気接続されるとともに、他方の電極が前記ケースに電気接続されており、前記ケースにて前記電力系半導体素子の放熱を行うとともに、前記ケースを介して前記他方の電極を前記ケース外に電気接続するようにしたことを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (2件):
H01L 25/00 ,  H01L 23/36
引用特許:
審査官引用 (3件)

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