半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-232115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078458
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】ワイヤ同士の接触による短絡不良を回避しつつ、高周波信号を取り扱うのに好適な半導体デバイスを提供する。【構成】半導体チップ1上に形成された入出力パッド2とその近傍に配置された信号伝送線4の終端部とを信号伝送用ボンディングワイヤ6によって接続し、半導体チップ1上に形成された接地パッド3とその近傍に配置された接地配線5の終端部とを信号伝送用ボンディングワイヤ6よりも太い接地用ボンディングワイヤ7によって接続する。そして、信号伝送用ボンディングワイヤ6の略半径分の距離を隔てて、接地用ボンディングワイヤ7と信号伝送用ボンディングワイヤ6とを近接配置する。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に形成された入出力パッドとその近傍に配置された信号伝送線の終端部とを信号伝送用ボンディングワイヤにて接続するとともに、前記半導体チップ上に形成された接地/電源パッドとその近傍に配置された接地/電源配線の終端部とを接地/電源用ボンディングワイヤによって接続してなる半導体デバイスにおいて、前記接地/電源用ボンディングワイヤは、前記信号伝送用ボンディングワイヤよりも太く、且つ前記信号伝送用ボンディングワイヤと該信号伝送用ボンディングワイヤの略半径分の距離を隔てて近接配置されていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/60 321

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-044729
特開昭60-136232
特開昭63-141328

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