特許

J-GLOBAL ID：200903015455102173

III族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られるIII族元素窒化物結晶、ならびにそれを含む半導体装置

発明者： 北岡 康夫 ,  峯本 尚 ,  木戸口 勲
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-377072
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182596
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】 不純物の混入を抑制し、結晶性に優れるIII族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 まず、Ga、AlおよびInからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液を準備する。次に、前記融液中において生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族元素窒化物結晶の製造方法であって、 Ga、AlおよびInからなる群から選択される少なくとも一つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液を準備し、 窒素雰囲気下において、前記融液中に生成したIII族元素窒化物および前記融液中の前記III族元素窒化物の原料の少なくとも一方を気化し、前記雰囲気中に配置した基板表面上において、前記気化物を結晶化して、III族元素窒化物結晶を生成若しくは成長させる製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C01B 21/06 ,  C01B 21/072 ,  C30B 23/02 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C01B21/06 A ,  C01B21/072 B ,  C30B23/02 ,  H01L21/205

Fターム (30件)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EA08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA01 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  5F045AA06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• GaN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097551   出願人：科学技術振興事業団
• III族元素窒化物単結晶の製造方法、それに用いる装置および前記製造方法により得られたIII族元素窒化物単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-087901   出願人：松下電器産業株式会社, 佐々木孝友