特許

J-GLOBAL ID：200903055026079068

GaN単結晶の製造方法

発明者： 佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-097551
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293696
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】 成長速度を向上させて、核発生数、結晶サイズ、そしてトータルの結晶収量をより増大させることのできる、改良された新しいバルクGaN単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 ガリウム原料物質をナトリウム物質およびカリウム物質の少くともいずれかの存在下に窒素ガス加圧雰囲気下に反応させてGaN単結晶を製造する方法において、雰囲気窒素ガスの少くとも一部をアンモニアで置換して加圧反応させる。

請求項（抜粋）：

ガリウム原料物質をナトリウム物質およびカリウム物質の少なくともいずれかの存在下に窒素ガス加圧雰囲気下に反応させてGaN単結晶を製造する方法において、雰囲気窒素ガスの少なくとも一部をアンモニアで置換して加圧反応させることを特徴とするGaN単結晶の製造方法。

Fターム (4件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC06 ,  4G077EA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-277045   出願人：株式会社リコー, 島田昌彦, 山根久典
• 窒化物結晶の製造方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-164811   出願人：日立電線株式会社
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175577   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (4件)

• Preparation of GaN Single Crystals Using a Na Flux
• Control of Nucleation Site and Growth Orientation of Bulk GaN Crystals
• Growth and morphology of GaN
• Crystal growth of GaN by the reaction between gallium and ammonia