特許

J-GLOBAL ID：200903015460593436

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 佐藤 仁昭 ,  金清 任光 ,  工藤 勝義
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立笠戸エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064097
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321492
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】本発明の目的は、プラズマ処理時の反応生成物または、ガスの反応生成物の付着箇所を温度制御し、異物発生が少なく高歩留りが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。【解決手段】プラズマ処理ガスが処理室10に供給されると共に、所定圧力が保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室に被処理物を載置する試料台11と、前記プラズマ発生室を減圧排気する排気機構16を有するプラズマ発生室内面壁部に、温度制御装置34,35を有する構成である。

請求項（抜粋）：

試料を処理する処理ガスが供給されると共に、所定圧力が保持されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室に被処理物を載置する試料台と、前記プラズマ発生室を減圧排気する排気手段とを有したプラズマ処理装置により、前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記プラズマ発生室内でプラズマが発生している箇所とそれ以外の箇所とのそれぞれの温度を個別に制御し、プラズマ処理される前記試料のプラズマ処理特性の経時的変動を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-013888   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平3-167825
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-326647   出願人：株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社