特許

J-GLOBAL ID：200903015496608243

半導体装置

発明者： 中山 武雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-318098
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162392
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】埋め込み素子分離とシリサイド層を具備し、結晶欠陥の発生を抑制する構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に形成された溝に埋め込まれた絶縁層2と、半導体基板1上の一部に形成されたシリサイド層7を有する半導体装置において、シリサイド層7は溝の側面において絶縁層2と直接接触しないように形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された溝に埋め込まれた絶縁層と、前記半導体基板上の一部に形成されたシリサイド層とを有する半導体装置において、前記シリサイド層は前記溝の側面において前記絶縁層と直接接触しないように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063748   出願人：株式会社東芝