特許

J-GLOBAL ID：200903015512971205

半導体電極、その製造方法、及び、光電変換素子

発明者： 廣瀬 英一 ,  佐藤 克洋 ,  今井 彰 ,  小野 好之 ,  高田 北斗
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279607
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102103
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 開放電圧、光電変換効率等の光特性に優れた半導体電極を提供すること。【解決手段】 少なくとも、導電性基体上に、半導体を含有する半導体層を有する半導体電極において、前記半導体層が、その表面に、色素及び電荷移動制御分子を順次担持させて形成された色素担持部及び電荷移動制御分子担持部を有することを特徴とする半導体電極である。前記電荷移動制御分子が、下記式(1)から(6)のいずれかで表される構造を有する化合物である態様が好ましい。式(1)R1M1Y1、式(2)R1R2M1Y12、式(3)R1R2R3M1Y1、式(4)R1-SH、式(5)R1(-COOR4)n、式(6)R1(-COX1)n

請求項（抜粋）：

少なくとも、導電性基体上に、半導体を含有する半導体層を有する半導体電極において、前記半導体層が、その表面に、色素及び電荷移動制御分子を順次担持させて形成された色素担持部及び電荷移動制御分子担持部を有することを特徴とする半導体電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

Fターム (6件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光半導体電極、およびそれを用いた光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199079   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体電極及び光電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-041464   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体電極及びそれを用いた光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-343466   出願人：富士ゼロックス株式会社