特許
J-GLOBAL ID：200903015518677236
不揮発性メモリセル、不揮発性メモリセルの閾値の調整方法及び複数のトランジスタの閾値の調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174923
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064287
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 簡単な消去動作によって消去できる不揮発性半導体メモリセルを提供することを目的とするものである。【解決手段】 浮遊ゲート3と制御ゲート2とを有するトランジスタ1を備える不揮発性メモリセルにおいて、トランジスタ1のドレイン電極またはソース電極の一方に電気的に接続する容量素子9と、容量素子9を充電し、ドレイン電極またはソース電極の一方を他方と異なる電位に設定する電位設定手段と、容量素子9が放電するまで、トランジスタ1の値電圧を変動させる電圧を制御ゲート2に印加する電圧発生手段とを備える不揮発性メモリセルである。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートと制御ゲートとを有するトランジスタを備える不揮発性メモリセルにおいて、前記トランジスタのドレイン電極またはソース電極の一方に電気的に接続する容量素子と、該容量素子を充電し、前記ドレイン電極またはソース電極の一方を他方と異なる電位に設定する電位設定手段と、前記容量素子が放電するまで、前記トランジスタの閾値電圧を変動させる電圧を前記制御ゲートに印加する電圧発生手段と、を有することを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 621 C
, G11C 17/00 634
