特許
J-GLOBAL ID：200903066640828680
不揮発性メモリセル及びその閾値の調整方法、複数のトランジスタの閾値の調整方法並びに不揮発性記憶装置及びその動作方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-097320
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057490
出願日： 1994年05月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 閾値の調整が簡易且つ高精度になし得る不揮発性メモリセルであり、且つ、その不揮発性メモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法を提供することを目的とする。【構成】 フローテイングゲートを備えるメモリトランジスタ1が選択トランジスタ8と接続され、記憶ノードNに寄生容量等による容量素子9を備え、メモリトランジスタ1のドレイン電極Dを高電位に維持した後、メモリトランジスタ1をフローティング状態とし、ゲート電極2に正負に振幅するパルス状のゲート電圧を印加して、異なった値の閾値のメモリトランジスタの閾値を所定の値に調整する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲートと制御ゲートとを有するトランジスタを備える不揮発性メモリセルにおいて、前記トランジスタのドレイン電極又はソース電極の一方を他方よりも高電位に設定する電位設定手段と、前記制御ゲートに交流電圧を印加する電圧発生手段と、を具備することを特徴とする不揮発性メモリセル。
IPC (5件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 510 D
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
