特許
J-GLOBAL ID：200903015529384419

半導体装置及びその製造方法

発明者：
渡邉 健一

渡邉 健一 について

, 
河野 通有

河野 通有 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076962
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064046
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】配線材料にCuを用いたダマシン構造を備えた半導体装置において、ダイシング時のクラックや、水分等が浸入した場合に、これらを抑制することを提供する。【解決手段】半導体基板101上に、コンタクトパターン161を形成後に、コンタクトパターン161上に、第1のバリアメタル膜181と、第1の導体パターン171とからなる第1の配線パターンを形成し、第1のバリアメタル膜181のうち、第1の導体パターン171の外周側側壁面を覆う外周部分が、その上端部において、第2のバリアメタル膜182のうち、ビアコンタクト部201の底面を覆うバリアメタル底面部と接するような構造を備えた耐湿リングを形成することにより、半導体基板101から最上層のシリコン酸化膜124に到る全範囲にTa,TiN等のバリアメタル膜を切れ目なく形成することにより、密着性を向上し、クラック及び水分の浸入を抑制する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上方に形成される第1の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜中に形成される第1の導体パターン、前記第1の層間絶縁膜と前記第1の導体パターンとの間に、少なくとも前記第1の導体パターンの側面を覆うように形成される第1のバリアメタル膜、前記第1の層間絶縁膜上に形成される第2の層間絶縁膜、前記第2の層間絶縁膜を介して前記第1の導体パターンの上方に形成される第2の導体パターン、前記第1の導体パターンと前記第2の導体パターンとを接続するために前記第2の層間絶縁膜中に形成されるビアコンタクト部、並びに、前記ビアコンタクト部の側面及び底面を覆うように形成される第2のバリアメタル膜を含む配線構造とを備え、 前記配線構造は、連続して延在するように形成され、前記第2のバリアメタル膜のうちの前記ビアコンタクト部の底面を覆う前記第2のバリアメタル膜の底面部分が、前記第1のバリアメタル膜の上端部の少なくとも一部と接して形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/88 K ,  H01L21/90 B
Fターム (35件)：
5F033HH01 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN12 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18
引用特許：
審査官引用 (1件)

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