特許
J-GLOBAL ID:200903064421375740
配線の接続構造及び配線の接続部の形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-163304
公開番号(公開出願番号):特開平11-354637
出願日: 1998年06月11日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 エレクトロマイグレーションにより配線を構成する金属原子が移動しても長い期間導通状態が良好であり、接続信頼性に優れた配線の接続構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第2の配線28の突状の接続部が、第1の配線18の接続部の貫通孔内に入り込むと共に、第1の配線18の接続部の開口の対向する長辺の一部を含む領域に接続して、貫通孔内に形成された接続部用のTiN膜16aと接続部用のTi膜17aとを介して第1の配線の主配線部19と電気的に接続すると共に、貫通孔の開口部に露出するTi膜17aとTiN膜16aの端部及びその近傍の主配線部19にも直接接続する。
請求項(抜粋):
貫通孔を備えた主配線部に、該主配線部の貫通孔内を含む上面以外の面に低抵抗の導電性材料からなる導通層とバリヤ層とを順に備えた溝埋め込み式の第1の配線に、前記第1の配線の上層に設けられる第2の配線の接続部が、前記貫通孔の内面に設けられた導通層と前記貫通孔の内面に設けられたバリヤ層との少なくとも1つを含む領域に接続するように設けられた配線の接続構造。
IPC (2件):
H01L 21/768
, H01L 21/3205
FI (5件):
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 B
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 M
, H01L 21/90 J
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体装置およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-054922
出願人:ローム株式会社
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配線及びその形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-251446
出願人:ソニー株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-291099
出願人:富士通株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-329265
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭60-111442
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特開昭63-269546
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