特許

J-GLOBAL ID：200903015530623168

圧電薄膜共振子、フィルタ及び圧電薄膜共振子の製造方法

発明者： 舩坂 司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (5件)： 小林 久夫 ,  安島 清 ,  佐々木 宗治 ,  大村 昇 ,  高梨 範夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128116
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311849
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 温度変化があっても温度特性の変化を軽減して共振周波数がズレることがないようにして周波数の選択性の良い圧電薄膜共振子を得ることを目的とする。【解決手段】 シリコン基板11と、シリコン基板11上に設けられた下電極膜13、下電極膜13に重なる圧電膜15及び圧電膜15に重なる上電極膜14からなる積層共振体12とを備え、シリコン基板11と下電極膜13との間に下電極膜13の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ下温度補正膜16を設け、上電極膜14の上面に上電極膜14の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ上温度補正膜17を設けたものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に設けられた第一電極膜、前記第一電極膜に重なる圧電膜及び前記圧電膜に重なる第二電極膜からなる積層共振体とを備えてなる圧電薄膜共振子において、 前記第一電極膜又は前記第二電極膜に接するように、前記第一電極膜又は前記第二電極膜の共振周波数に対する温度特性とは逆の温度特性を持つ温度補正膜を設けたことを特徴とする圧電薄膜共振子。

IPC (8件)：

H03H9/02 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/58

FI (11件)：

H03H9/02 N ,  H03H9/02 K ,  H03H3/02 B ,  H03H9/17 F ,  H03H9/58 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z

Fターム (16件)：

5J108AA04 ,  5J108AA07 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108DD01 ,  5J108DD06 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108FF05 ,  5J108JJ01 ,  5J108JJ04 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電薄膜共振子、フィルタ、および圧電薄膜共振子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-013984   出願人：富士通株式会社, 富士通メディアデバイス株式会社