特許
J-GLOBAL ID:200903015551662112

圧力センサデバイスおよびそれを用いた回路およびシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-061958
公開番号(公開出願番号):特開2005-249644
出願日: 2004年03月05日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】 従来の構成では、Si基板を用いて作製するため、フレキシブルプリント基板をSi基板に接合し、Si基板を加工しなければならず、工程が複雑であるという課題があった。 【解決手段】 本発明の圧力センサデバイス11によれば、フレキシブル基板1上に有機FETで構成されるため、製造が容易である。具体的には、この有機FETは、有機半導体層2、絶縁層5、ゲート6、ドレイン3、ソース4によって構成され、有機半導体層2がπ共役系高分子によって形成され、絶縁層5が有機絶縁物によって形成され、圧電ポリマー層7の圧電材料がゲート6と電気的に接続している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
フレキシブル基板上に、有機材料で形成された有機FETと圧電材料によって構成されることを特徴とする圧力センサデバイス。
IPC (2件):
G01L1/16 ,  H01L29/84
FI (3件):
G01L1/16 B ,  G01L1/16 G ,  H01L29/84 C
Fターム (9件):
4M112AA01 ,  4M112BA03 ,  4M112CA41 ,  4M112CA45 ,  4M112CA54 ,  4M112DA08 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112FA20
引用特許:
出願人引用 (2件)

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