特許
J-GLOBAL ID:200903015586861541

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-071641
公開番号(公開出願番号):特開平10-270605
出願日: 1997年03月25日
公開日(公表日): 1998年10月09日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置に形成されている素子などからなる集積回路の状態が、光学的手法によって観察できないようにすることを目的とする。【解決手段】 パシベーション膜13上に、微粒子14aがバインダ14b中に分散した状態の、保護膜14を備えるようにしたものである。この、保護膜14は、微粒子14aを分散しておくことで、その表面にほぼ微粒子14aの大きさの凹凸が形成された状態とした。
請求項(抜粋):
集積回路を備えた半導体チップと、この上に形成され微粒子を含んだバインダからなる保護膜を備え、前記保護膜表面には前記微粒子による2μm以上の段差の凹凸が、分布して形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-000166   出願人:日本電気株式会社

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