特許

J-GLOBAL ID：200903015608422318

シリコン残渣除去方法

発明者： 鈴木 民人
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288971
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100603
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 ウエハ上のシリコン残渣を均一性よく除去する。【解決手段】 シリコン残渣を除去すべき面が上になるようにして被処理ウエハ14を枚葉式スピナのウエハチャック12で平面的に保持した状態でウエハ14の上面にTMAH(テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド)又は塩化コリンを含むシリコン除去液を供給した後(又は供給しつつ)ウエハチャック12によりウエハ14をスピン回転させてシリコン残渣をエッチングする。ウエハ14のスピン回転数を20〜40[rpm]程度に低く設定すると、ウエハ14の上面でシリコン除去液18が矢印B,Cで示すように循環するため、シリコン残渣を均一性よく除去できると共に、液滴18a,18bの落下による液量減少を抑制でき、エッチング時間に比例したエッチング量が得られる。

請求項（抜粋）：

シリコン残渣を除去すべき面が上になるようにして被処理ウエハを枚葉式スピナのウエハチャックで平面的に保持するステップと、前記被処理ウエハの上面にシリコン除去液を供給して表面張力で保持させるステップと、前記シリコン除去液を前記被処理ウエハの上面に沿って循環させるように前記ウエハチャックにより前記処理ウエハをスピン回転させるステップとを含むシリコン残渣除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 643

FI (3件)：

H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/306 G ,  H01L 21/306 S

Fターム (14件)：

5F043AA02 ,  5F043AA32 ,  5F043BB03 ,  5F043BB22 ,  5F043DD02 ,  5F043DD10 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043EE04 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061389   出願人：日本電気株式会社