特許

J-GLOBAL ID：200903015675541992

半導体製造装置における反応検出方法

発明者： 安藤 厚博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-048276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219396
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 経時変化に応じて調整作業やメンテナンスをする必要がなく、常に反応状態を正確に検出することが可能な半導体製造装置における反応検出方法を提供する。【解決手段】 反応状態をプラズマ状態から検出する半導体製造装置における反応検出方法において、前記プラズマ状態の検出をプラズマのインピーダンス変化を検出することにより行う。

請求項（抜粋）：

反応状態をプラズマ状態から検出する半導体製造装置における反応検出方法において、前記プラズマ状態の検出をプラズマのインピーダンス変化を検出することにより行うことを特徴とする半導体製造装置における反応検出方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  G01R 27/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/302 E ,  G01R 27/02 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマエッチング終点検出方法およびプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312982   出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
• 特開平3-064897