特許
J-GLOBAL ID：200903015680655653
半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161714
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354848
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 発光素子と静電気保護用等のサブマウント素子とにより素子を複合化するに際してバンプとの接合性がよく素子機能にも影響を及ぼすことのない半導体発光装置の提供。【解決手段】 半導体発光素子1に予め形成したp側及びn側のバンプ5,4を、静電気保護用のツェナーダイオード6の電極6c,6bに融解・溶着を利用して導通接合させる半導体発光装置において、バンプ4,5と電極6c,6bとを、その共晶組成の合金の共晶温度が少なくともAuよりも低い異種の金属材料とする。また、ツェナーダイオード6側にバンプを予め形成しておき、これに発光素子1のn側及びp側の電極2,3を接合する構成としてもよい。
請求項（抜粋）：
p側及びn側の電極のそれぞれにバンプを形成した半導体発光素子と、前記バンプに接合される2つの電極を形成した補助機能用のサブマウント素子とを備え、前記バンプと前記サブマウント素子の電極の融解・溶着を利用して導通接合させた複合化素子を含む半導体発光装置であって、前記バンプと前記サブマウント素子の電極とを、その共晶組成の合金の共晶温度が少なくともAuよりも低い異種の金属材料としてなる半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 21/92 603 B
