特許

J-GLOBAL ID：200903015689766229

半導体装置及びその製造方法

発明者： 村上 英一 ,  鯨井 裕 ,  西田 彰男 ,  木村 紳一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-326822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167804
出願日： 1995年12月15日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ソース/ドレインpn接合形成で、浅くかつ低抵抗のpn接合を制御性良く形成できる製造方法を提供する。【解決手段】SiO2 膜18とSi3N4膜111とからなるサイドウオールスペーサを用いて、浅い拡散層115を形成する。

請求項（抜粋）：

相補型MOSFETの製造方法であって、SiO2膜をストッパとしてSi3N4膜を異方性ドライエッチし、ゲート電極のサイドウオールスペーサに加工した後、BSG膜、あるいは、吸着ボロン及びボロン化合物からボロン原子をSi基板中へ固相拡散させる不純物拡散工程において、n-MOSFET形成領域のSi3N4膜をボロンの拡散マスクとして、残すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271157   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050839   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-218638
  
• 特開平4-023462
  
• 特開平3-224241
  
• 半導体への不純物導入方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-081208   出願人：株式会社日立製作所