特許
J-GLOBAL ID：200903015692397854
導電性支持体及びこれを用いた光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172952
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011609
出願日： 2003年06月18日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】大面積でも光電変換効率の低下のない光電変換素子を得る為の導電性支持体を開発する。【解決手段】基板上に透明導電膜、集電用電極及び半導体含有層をこの順で設けた導電性支持体と、基板上に透明導電膜、集電用電極及び還元層をこの順に設けた導電性支持体とを所定の間隔で対向配置し、周縁をシール材で固定後、両支持体の間隙に電荷移動層を設けて光電変換素子を製造する。 集電用電極は膜状、網目状、線状又は格子状のいずれかの連続した導電性材料であることが好ましく、この導電性材料としてはAu,Pt,Ag,Cu,Ni,Zn,Ti及びCr等が好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に透明導電膜、集電用電極及び半導体含有層又は還元層をこの順で設けてなる光電変換素子用導電性支持体
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051CB15
, 5F051CB27
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051FA14
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB10
, 5H032CC04
, 5H032CC11
, 5H032CC13
, 5H032EE01
, 5H032EE07
, 5H032EE16
