特許
J-GLOBAL ID：200903015704333920

磁気抵抗効果型ヘッド、その製造方法、及び磁気記録再生装置

発明者：
星野 勝美

星野 勝美 について

, 
星屋 裕之

星屋 裕之 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400887
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197621
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】 磁気記録密度の高密度化に伴い、磁気抵抗効果型ヘッドのシールド間隔が狭くなり、ギャップ絶縁膜を薄くしなければならない。このとき、絶縁耐圧が低いと磁気抵抗効果膜が静電破壊を起こしてしまうという問題がある。【解決手段】 磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜53と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流すための一対の電極55とを有する磁気抵抗効果素子が上部ギャップ絶縁膜59及び下部ギャップ絶縁膜58を介して上部シールド57及び下部シールド52の間に設けられた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、ZnO、SiC、SrTiO、Siなどの材料とSiO2、Al2O3などの絶縁材料とのバリスタ多層膜56を用いて磁気抵抗効果素子とシールド間および両電極間を接続することにより、ギャップ絶縁膜が薄くなっても、静電破壊に強い磁気抵抗効果型ヘッドの提供が可能となる。
請求項（抜粋）：
磁気的信号を電気的信号に変換する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気検出電流を流すための一対の電極と、前記一対の電極及び前記磁気抵抗効果膜の上下に配置された上部ギャップ膜及び下部ギャップ膜と、前記上下ギャップ膜の上下に配置された上部シールド膜及び下部シールド膜とからなり、前記一対の電極と前記上部シールド膜または前記下部シールド膜の少なくともどちらか一方との間がバリスタ材料により電気的に接続されており、かつ前記一対の電極間が前記バリスタ材料で接続されている磁気抵抗効果型ヘッド。
IPC (5件)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/40 ,  H01L 43/02 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11B 5/39 ,  G11B 5/40 ,  H01L 43/02 Z ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R
Fターム (6件)：
2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034AA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA30
引用特許：
審査官引用 (4件)
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