レジストパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177148
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045810
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】単独ラインのレジストパターンを、所望のパターン寸法に近い高精度のパターンとして得ることができ、しかも焦点深度のレンジを拡げることができるレジストパターン形成方法を提供する。【構成】所望のパターン12aと所望のパターン12a以外のダミーパターン12bとを配した第1マスク11を用いてレジストを第1露光し、次に、ダミーパターン12bを消失するための第2マスク21を用いてレジストを第2露光し、その後にレジストを現像する。

請求項（抜粋）：

所望のパターンと上記所望のパターン以外のダミーパターンとを配した第1マスクを用いてレジストを第1露光し、次に、上記ダミーパターンを消失するための第2マスクを用いて上記レジストを第2露光し、その後に上記レジストを現像することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-059968 出願人：富士通株式会社
特開平4-273427
特開昭63-058825

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