特許

J-GLOBAL ID：200903015724773420

粗いシリコン表面の形成およびその応用

発明者： ステファン・シモン・ダナ ,  マリアーノ・アンデルレ ,  ギャリー・ウェイン・ルブロフ ,  アレハンドロ・ガブリエル・シュロット ,  ミハエル・リール
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020958
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 粗さ密度、粗さ長さ、およびナノメートル規模の形態の制御により、粗いSiの表面を形成する方法を提供する。【構成】 1)通常1〜5ミリトルの範囲での低圧化学蒸着(CVD)工程、および2)たとえば約700°C未満、通常は500〜600°Cの範囲の動作温度でSiH4に対する反応性が比較的低い、熱成長SiO2表面2を使用し、初期成長が核形成によって制御されるような初期表面条件および操作パラメータを使用して、粗いSi表面4を形成する。この広い温度範囲により、広範囲の応用分野で粗いシリコン表面の形成の実現可能性が増大する。

請求項（抜粋）：

Si皮膜形成ガスからSiを付着させるための低圧CVD環境を準備する工程と、(a)付着工程で使用する動作温度でSi皮膜形成ガスとは比較的反応しにくいこと、および(b)Siの初期成長が、核形成によって制御されるようにコンディショニングされていること、の少なくとも一方に該当する表面を準備する工程と、約0.1〜100ミリトルの範囲の圧力、約450〜700°Cの範囲の温度で上記表面にSiを付着させて、上記表面上の明確に画定された部位に選択的に核形成を行う工程とを含む、粗いSi表面を形成する方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-101261
  
• 特開平3-234051
  
• 特開昭63-066720
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-077280   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社