特許
J-GLOBAL ID：200903015735716932

ダイヤモンド製造用装置及び方法

発明者：
ヘムレイ、ラッセル、ジェイ.

ヘムレイ、ラッセル、ジェイ. について

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マオ、ホー - クワン

マオ、ホー - クワン について

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ヤン、チィー - シウ

ヤン、チィー - シウ について

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フォーラ、ヨーゲシュ、ケイ.

フォーラ、ヨーゲシュ、ケイ. について


出願人/特許権者：
カーネギー インスチチューション オブ ワシントン

カーネギー インスチチューション オブ ワシントン について

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ザ ユーエイビー リサーチ ファンデーション

ザ ユーエイビー リサーチ ファンデーション について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  小池 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-542679
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508279
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
成膜チャンバー内でダイヤモンドを製造する装置であって、ダイヤモンドを保持し、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするための放熱ホルダーと、前記ダイヤモンドの前記成長面を横切って前記ダイヤモンドの温度を測定するように配置した非接触温度測定装置と、前記非接触温度測定装置からの温度計測を受け、前記成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20°C未満となるように制御するための主プロセス制御器とを備えている。ダイヤモンドを製造する方法は、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、前記ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きいマイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む。
請求項（抜粋）：
成膜チャンバー内でダイヤモンドを製造する装置であって、 ダイヤモンドを保持し、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするための放熱ホルダーと、 前記ダイヤモンドの前記成長面を横切って前記ダイヤモンドの温度を測定するように配置した非接触温度測定装置と、 前記非接触温度測定装置からの温度計測を受け、前記成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20°C未満となるように制御するための主プロセス制御器とを備えた前記装置。
IPC (4件)：
C30B29/04 ,  C01B31/06 ,  C23C16/27 ,  C30B25/16
FI (4件)：
C30B29/04 E ,  C01B31/06 ,  C23C16/27 ,  C30B25/16
Fターム (47件)：
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077EH01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TA12 ,  4G077TB07 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TC10 ,  4G077TF01 ,  4G077TF02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4G077TJ13 ,  4G146AA04 ,  4G146AB07 ,  4G146AD01 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC19 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA08 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030KA24 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41
引用特許：
審査官引用 (7件)
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