特許

J-GLOBAL ID：200903015746405025

強誘電体不揮発性メモリとその読み出し方法

発明者： 石原 宏
出願人/特許権者： 株式会社半導体理工学研究センター
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138351
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを用いたメモリセル構成において、情報の書き込み電圧を低くできると共に、情報の保持時間を長くできる。【解決手段】 MOS型電界効果トランジスタTrのゲート電極に、残留分極のほぼ等しい2つの強誘電体キャパシタCA ,CB を接続してなるメモリセル構造を有する強誘電体不揮発性メモリであって、各キャパシタCA ,CB の強誘電体薄膜をトランジスタTrのゲート電極に対して相互に逆向きに分極させることにより情報を記憶する。

請求項（抜粋）：

MOS型又はMIS型の電界効果トランジスタのゲート電極に、残留分極のほぼ等しい2つの強誘電体キャパシタを接続してなるメモリセル構造を有し、前記各キャパシタの強誘電体薄膜を前記トランジスタのゲート電極に対して相互に逆向きに分極させることにより情報を記憶することを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  H01L 29/78 371

Fターム (27件)：

5B024AA04 ,  5B024AA15 ,  5B024BA02 ,  5B024BA03 ,  5B024CA07 ,  5B024CA27 ,  5F001AA06 ,  5F001AA17 ,  5F001AA21 ,  5F001AA22 ,  5F001AA24 ,  5F001AA25 ,  5F001AA63 ,  5F001AB20 ,  5F001AD12 ,  5F001AD70 ,  5F001AE03 ,  5F001AF05 ,  5F001AF07 ,  5F083EP28 ,  5F083FR07 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA15 ,  5F083KA01 ,  5F083LA01 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-165924   出願人：ローム株式会社