特許
J-GLOBAL ID：200903078239596821
不揮発性記憶素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165924
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017123
出願日： 1997年06月23日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 所望の強誘電体材料を用いることができ、信頼性が高く、記憶内容を破壊することなく読み出し等の処理を行なうことが可能な不揮発性記憶素子を提供する。【解決手段】 メモリセル20は、直列に接続された2つのコンデンサCf1、Cf2を備えている。該2つのコンデンサはともに同一工程で造り込まれた強誘電体コンデンサである。したがって、強誘電体材料のいかんに拘らず、両コンデンサの面積比を調整するだけで、両コンデンサのカップリング比を調整することができる。メモリセル20の両端に、記憶すべき情報に対応した電圧を印加することにより、両コンデンサに分極反転を生じさせることで情報を書込む。情報を読み出すには、メモリセル20の両端部20a,20bに、グランド電位を与える。このときの接続部20cの電位に基づいて情報を読み出す。したがって、読み出し時に、両コンデンサの分極状態が変化することはない。
請求項（抜粋）：
強誘電体のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する不揮発性記憶素子であって、強誘電体膜を備えた第1のコンデンサ部と、第1のコンデンサ部の強誘電体膜の誘電率と実質的に等しい誘電率の強誘電体膜を備えるとともに第1のコンデンサ部と直列に接続された第2のコンデンサ部と、を備え、直列に接続された第1のコンデンサ部および第2のコンデンサ部の両端に、記憶すべき情報に対応した電圧を印加することにより情報を記憶するとともに、記憶された情報に対応して第1のコンデンサ部と第2のコンデンサ部との接続部に生ずる電圧に基づいて、所定の処理を行なうようにしたこと、を特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
