特許

J-GLOBAL ID：200903015759913119

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉田 直人 ,  後藤 清毅
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-328696
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173137
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 同一のGaAs基板上にチャネル層との間隔が異なる2つのゲート電極を制御性よく形成できる半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 GaAs基板1上にi-GaAsバッファ層2、i-InGaAsチャネル層3、n-AlGaAs電子供給層4、n-InGaPゲート層5、n-GaAsコンタクト層6を順次成長し、n-GaAsコンタクト層6をエッチングしてn-InGaPゲート層5表面を露出させ、次にn-InGaPゲート層5をエッチングしn-AlGaAs電子供給層4を露出させる。そしてゲート金属を全面に堆積し、各FETのゲート電極を形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に形成されたチャネル層と、該チャネル層上に形成された,該チャネル層よりバンドギャップの大きな第1のゲート層と、該第1のゲート層上に該第1のゲート層とは異なる材料で形成された,上記チャネル層よりバンドギャップの大きな第2のゲート層と、上記第1のゲート層上に接触するように形成された第1のゲート電極と、上記第2のゲート層上に接触するように形成された第2のゲート電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003697   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-166571
  
• 特開平1-179458