特許
J-GLOBAL ID：200903015763326082

有機太陽電池

発明者：
志賀 亨

志賀 亨 について

, 
元廣 友美

元廣 友美 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375651
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180190
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】 光電変換効率を十分に向上できる有機太陽電池を提供すること。【解決手段】 本発明は、電子供与性を有するp型共役高分子及び電子受容性を有するn型半導体を混合してなるヘテロ接合層3と、へテロ接合層3の一面側に設けられる第1電極2と、へテロ接合層3の他面側に設けられる第2電極4とを有し、へテロ接合層3が有機金属錯体を含み、有機金属錯体のLUMOのレベルが、p型共役高分子の伝導帯の最低エネルギー準位とn型半導体の伝導帯の最低エネルギー準位との間にあり、有機金属錯体のHOMOのレベルが、p型共役高分子の価電子帯の最高エネルギー準位とn型半導体の価電子帯の最高エネルギー準位との間にあることを特徴とする有機太陽電池である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子供与性を有するp型共役高分子及び電子受容性を有するn型半導体を混合してなるヘテロ接合層と、 前記へテロ接合層の一面側に設けられる第1電極と、 前記へテロ接合層の他面側に設けられる第2電極と、 を有し、前記へテロ接合層が有機金属錯体を含み、 前記有機金属錯体の最低空軌道のレベルが、p型共役高分子の伝導帯の最低エネルギー準位とn型半導体の伝導帯の最低エネルギー準位との間にあり、 前記有機金属錯体の最高被占軌道のレベルが、p型共役高分子の価電子帯の最高エネルギー準位とn型半導体の価電子帯の最高エネルギー準位との間にあること、 を特徴とする有機太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 51/42
FI (1件)：
H01L31/04 D
Fターム (3件)：
5F051AA11 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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